MG12150D-BA1MM | Wickmann / Littelfuse MG12150D-BA1MM | MG12150D-BA1MM Inventory, Best Pricing

MG12150D-BA1MM

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Numéro d'article	MG12150D-BA1MM
LIXINC Part #	MG12150D-BA1MM
Fabricant	Wickmann / Littelfuse
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - igbt - modules
Description	IGBT MODULE 1200V 210A 1100W D3
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	MG12150D-BA1MM Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

MG12150D-BA1MM Caractéristiques

Numéro d'article:	MG12150D-BA1MM
Marque:	Wickmann / Littelfuse
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - igbt - modules
Fabricant:	Wickmann / Littelfuse
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Obsolete
type d'igbt:	-
configuration:	Half Bridge
tension - claquage collecteur émetteur (max):	1200 V
courant - collecteur (ic) (max):	210 A
puissance - maximum:	1100 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	1.8V @ 15V, 150A (Typ)
courant - coupure collecteur (max):	1 mA
capacité d'entrée (cies) @ vce:	11 nF @ 25 V
saisir:	Standard
thermistance ntc:	No
température de fonctionnement:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Chassis Mount
paquet / caisse:	Module
paquet de dispositif de fournisseur:	D3