FMG2G150US60E | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FMG2G150US60E

FMG2G150US60E

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Numéro d'article	FMG2G150US60E
LIXINC Part #	FMG2G150US60E
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - igbt - modules
Description	IGBT MODULE 600V 150A 500W 7PMGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	FMG2G150US60E Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

FMG2G150US60E Caractéristiques

Numéro d'article:	FMG2G150US60E
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - igbt - modules
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Obsolete
type d'igbt:	-
configuration:	Half Bridge
tension - claquage collecteur émetteur (max):	600 V
courant - collecteur (ic) (max):	150 A
puissance - maximum:	500 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.8V @ 15V, 150A
courant - coupure collecteur (max):	250 µA
capacité d'entrée (cies) @ vce:	12.84 nF @ 30 V
saisir:	Standard
thermistance ntc:	No
température de fonctionnement:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Chassis Mount
paquet / caisse:	7PM-GA
paquet de dispositif de fournisseur:	7PM-GA