NGTB35N60FL2WG

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Numéro d'article NGTB35N60FL2WG
LIXINC Part # NGTB35N60FL2WG
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - igbts - simples
Description IGBT TRENCH/FS 600V 70A TO247
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO NGTB35N60FL2WG Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 29 - Oct 03 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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NGTB35N60FL2WG Caractéristiques

Numéro d'article:NGTB35N60FL2WG
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - igbts - simples
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:-
emballer:Tube
état de la pièce:Active
type d'igbt:Trench Field Stop
tension - claquage collecteur émetteur (max):600 V
courant - collecteur (ic) (max):70 A
courant - collecteur pulsé (icm):120 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2V @ 15V, 35A
puissance - maximum:300 W
énergie de commutation:840µJ (on), 280µJ (off)
type d'entrée:Standard
frais de porte:125 nC
td (marche/arrêt) @ 25°c:72ns/132ns
condition de test:400V, 35A, 10Ohm, 15V
temps de récupération inverse (trr):68 ns
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet / caisse:TO-247-3
paquet de dispositif de fournisseur:TO-247

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