APT45GP120B2DQ2G

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Numéro d'article APT45GP120B2DQ2G
LIXINC Part # APT45GP120B2DQ2G
Fabricant Roving Networks / Microchip Technology
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - igbts - simples
Description IGBT 1200V 113A 625W TMAX
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO APT45GP120B2DQ2G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 29 - Oct 03 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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APT45GP120B2DQ2G Caractéristiques

Numéro d'article:APT45GP120B2DQ2G
Marque:Roving Networks / Microchip Technology
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - igbts - simples
Fabricant:Roving Networks / Microchip Technology
série:POWER MOS 7®
emballer:Tube
état de la pièce:Active
type d'igbt:PT
tension - claquage collecteur émetteur (max):1200 V
courant - collecteur (ic) (max):113 A
courant - collecteur pulsé (icm):170 A
vce(on) (max) @ vge, ic:3.9V @ 15V, 45A
puissance - maximum:625 W
énergie de commutation:900µJ (on), 905µJ (off)
type d'entrée:Standard
frais de porte:185 nC
td (marche/arrêt) @ 25°c:18ns/100ns
condition de test:600V, 45A, 5Ohm, 15V
temps de récupération inverse (trr):-
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet / caisse:TO-247-3 Variant
paquet de dispositif de fournisseur:-

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