NGTB40N120FL3WG | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NGTB40N120FL3WG

NGTB40N120FL3WG

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Numéro d'article	NGTB40N120FL3WG
LIXINC Part #	NGTB40N120FL3WG
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - igbts - simples
Description	IGBT 1200V 160A TO247
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	NGTB40N120FL3WG Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 29 - Oct 03 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

NGTB40N120FL3WG Caractéristiques

Numéro d'article:	NGTB40N120FL3WG
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - igbts - simples
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
type d'igbt:	Trench Field Stop
tension - claquage collecteur émetteur (max):	1200 V
courant - collecteur (ic) (max):	160 A
courant - collecteur pulsé (icm):	160 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.3V @ 15V, 40A
puissance - maximum:	454 W
énergie de commutation:	1.6mJ (on), 1.1mJ (off)
type d'entrée:	Standard
frais de porte:	212 nC
td (marche/arrêt) @ 25°c:	18ns/145ns
condition de test:	600V, 40A, 10Ohm, 15V
temps de récupération inverse (trr):	136 ns
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	TO-247-3
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-247-3