IGP01N120H2XKSA1

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Numéro d'article IGP01N120H2XKSA1
LIXINC Part # IGP01N120H2XKSA1
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - igbts - simples
Description POWER BIPOLAR TRANSISTOR, NPN
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IGP01N120H2XKSA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jul 05 - Jul 09 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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IGP01N120H2XKSA1 Caractéristiques

Numéro d'article:IGP01N120H2XKSA1
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - igbts - simples
Fabricant:Rochester Electronics
série:-
emballer:Tube
état de la pièce:Obsolete
type d'igbt:-
tension - claquage collecteur émetteur (max):1.2 V
courant - collecteur (ic) (max):3.2 A
courant - collecteur pulsé (icm):3.5 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.8V @ 15V, 1A
puissance - maximum:28 W
énergie de commutation:140µJ
type d'entrée:Standard
frais de porte:8.6 nC
td (marche/arrêt) @ 25°c:13ns/370ns
condition de test:800V, 1A, 241Ohm, 15V
temps de récupération inverse (trr):-
température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet / caisse:TO-220-3
paquet de dispositif de fournisseur:PG-TO220-3

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