IKY40N120CH3XKSA1 | IR (Infineon Technologies) IKY40N120CH3XKSA1 | IKY40N120CH3XKSA1 Inventory, Best Pricing

IKY40N120CH3XKSA1

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	IKY40N120CH3XKSA1
LIXINC Part #	IKY40N120CH3XKSA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - igbts - simples
Description	IGBT 1200V 80A TO247-4
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IKY40N120CH3XKSA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 11 - Sep 15 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IKY40N120CH3XKSA1 Caractéristiques

Numéro d'article:	IKY40N120CH3XKSA1
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - igbts - simples
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
type d'igbt:	-
tension - claquage collecteur émetteur (max):	1200 V
courant - collecteur (ic) (max):	80 A
courant - collecteur pulsé (icm):	160 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.35V @ 15V, 40A
puissance - maximum:	500 W
énergie de commutation:	2.18mJ (on), 1.3mJ (off)
type d'entrée:	Standard
frais de porte:	190 nC
td (marche/arrêt) @ 25°c:	30ns/280ns
condition de test:	600V, 40A, 12Ohm, 15V
temps de récupération inverse (trr):	350 ns
température de fonctionnement:	-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	TO-247-4
paquet de dispositif de fournisseur:	PG-TO247-4