HGTP5N120BND

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Numéro d'article HGTP5N120BND
LIXINC Part # HGTP5N120BND
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - igbts - simples
Description IGBT 1200V 21A 167W TO220AB
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO HGTP5N120BND Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

HGTP5N120BND Caractéristiques

Numéro d'article:HGTP5N120BND
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - igbts - simples
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:-
emballer:Tube
état de la pièce:Not For New Designs
type d'igbt:NPT
tension - claquage collecteur émetteur (max):1200 V
courant - collecteur (ic) (max):21 A
courant - collecteur pulsé (icm):40 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.7V @ 15V, 5A
puissance - maximum:167 W
énergie de commutation:450µJ (on), 390µJ (off)
type d'entrée:Standard
frais de porte:53 nC
td (marche/arrêt) @ 25°c:22ns/160ns
condition de test:960V, 5A, 25Ohm, 15V
temps de récupération inverse (trr):65 ns
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet / caisse:TO-220-3
paquet de dispositif de fournisseur:TO-220-3

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