RGTVX6TS65GC11 | ROHM Semiconductor RGTVX6TS65GC11 | RGTVX6TS65GC11 Inventory, Best Pricing

RGTVX6TS65GC11

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Numéro d'article	RGTVX6TS65GC11
LIXINC Part #	RGTVX6TS65GC11
Fabricant	ROHM Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - igbts - simples
Description	650V 80A FIELD STOP TRENCH IGBT
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	RGTVX6TS65GC11 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

RGTVX6TS65GC11 Caractéristiques

Numéro d'article:	RGTVX6TS65GC11
Marque:	ROHM Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - igbts - simples
Fabricant:	ROHM Semiconductor
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
type d'igbt:	Trench Field Stop
tension - claquage collecteur émetteur (max):	650 V
courant - collecteur (ic) (max):	144 A
courant - collecteur pulsé (icm):	320 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	1.9V @ 15V, 80A
puissance - maximum:	404 W
énergie de commutation:	2.65mJ (on), 1.8mJ (off)
type d'entrée:	Standard
frais de porte:	171 nC
td (marche/arrêt) @ 25°c:	45ns/201ns
condition de test:	400V, 80A, 10Ohm, 15V
temps de récupération inverse (trr):	-
température de fonctionnement:	-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	TO-247-3
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-247N