AIGB50N65F5ATMA1

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Numéro d'article AIGB50N65F5ATMA1
LIXINC Part # AIGB50N65F5ATMA1
Fabricant IR (Infineon Technologies)
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - igbts - simples
Description DISCRETE SWITCHES
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO AIGB50N65F5ATMA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 09 - Oct 13 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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AIGB50N65F5ATMA1 Caractéristiques

Numéro d'article:AIGB50N65F5ATMA1
Marque:IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - igbts - simples
Fabricant:IR (Infineon Technologies)
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type d'igbt:NPT
tension - claquage collecteur émetteur (max):650 V
courant - collecteur (ic) (max):50 A
courant - collecteur pulsé (icm):-
vce(on) (max) @ vge, ic:-
puissance - maximum:-
énergie de commutation:-
type d'entrée:Standard
frais de porte:-
td (marche/arrêt) @ 25°c:-
condition de test:-
temps de récupération inverse (trr):-
température de fonctionnement:-
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
paquet de dispositif de fournisseur:PG-TO263-3-2

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