UJ3N120035K3S

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Numéro d'article UJ3N120035K3S
LIXINC Part # UJ3N120035K3S
Fabricant UnitedSiC
Catégorie semi-conducteur discrettransistors-jfets
Description 1200V 35 MOHM SIC JFET, G3, N-ON
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO UJ3N120035K3S Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jul 04 - Jul 08 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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UJ3N120035K3S Caractéristiques

Numéro d'article:UJ3N120035K3S
Marque:UnitedSiC
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors-jfets
Fabricant:UnitedSiC
série:-
emballer:Tube
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
tension - claquage (v(br)gss):1200 V
tension drain-source (vdss):1200 V
courant - drain (idss) @ vds (vgs=0):-
consommation de courant (id) - max:63 A
tension - coupure (vgs off) @ id:-
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:2145pF @ 100V
résistance - rds(on):45 mOhms
puissance - maximum:429 W
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet / caisse:TO-247-3
paquet de dispositif de fournisseur:TO-247-3

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