CYD02S18V-167BBC | Rochester Electronics CYD02S18V-167BBC | CYD02S18V-167BBC Inventory, Best Pricing

CYD02S18V-167BBC

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Numéro d'article	CYD02S18V-167BBC
LIXINC Part #	CYD02S18V-167BBC
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC SRAM 2MBIT PARALLEL 256FBGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	CYD02S18V-167BBC Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 24 - Oct 28 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

CYD02S18V-167BBC Caractéristiques

Numéro d'article:	CYD02S18V-167BBC
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	SRAM
technologie:	SRAM - Dual Port
taille mémoire:	2Mb (128K x 18)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	167 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	-
temps d'accès:	4 ns
tension - alimentation:	3.135V ~ 3.6V
température de fonctionnement:	0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	256-LBGA
paquet de dispositif de fournisseur:	256-FBGA (17x17)