NV25160DWHFT3G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NV25160DWHFT3G

NV25160DWHFT3G

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Numéro d'article	NV25160DWHFT3G
LIXINC Part #	NV25160DWHFT3G
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC EEPROM 16KBIT SPI 10MHZ 8SOIC
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	NV25160DWHFT3G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 19 - Oct 23 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

NV25160DWHFT3G Caractéristiques

Numéro d'article:	NV25160DWHFT3G
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	Automotive, AEC-Q100
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Non-Volatile
formatage de la mémoire:	EEPROM
technologie:	-
taille mémoire:	16Kb (2K x 8)
interface mémoire:	SPI
fréquence d'horloge:	10 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	4ms
temps d'accès:	40 ns
tension - alimentation:	2.5V ~ 5.5V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 150°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:	8-SOIC