M10082040108X0PWAR

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Numéro d'article M10082040108X0PWAR
LIXINC Part # M10082040108X0PWAR
Fabricant Renesas Electronics America
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC RAM 8MBIT 108MHZ 8DFN
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO M10082040108X0PWAR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

M10082040108X0PWAR Caractéristiques

Numéro d'article:M10082040108X0PWAR
Marque:Renesas Electronics America
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Renesas Electronics America
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Active
type de mémoire:Non-Volatile
formatage de la mémoire:RAM
technologie:MRAM (Magnetoresistive RAM)
taille mémoire:8Mb (2M x 4)
interface mémoire:-
fréquence d'horloge:108 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:-
tension - alimentation:1.71V ~ 2V
température de fonctionnement:-40°C ~ 105°C
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:8-WDFN Exposed Pad
paquet de dispositif de fournisseur:8-DFN (5x6)

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