EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D

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Numéro d'article EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D
LIXINC Part # EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D
Fabricant Micron Technology
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 17 - Oct 21 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D Caractéristiques

Numéro d'article:EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D
Marque:Micron Technology
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Micron Technology
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Active
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:DRAM
technologie:SDRAM - Mobile LPDDR2
taille mémoire:4Gb (128M x 32)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:533 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:-
tension - alimentation:1.14V ~ 1.95V
température de fonctionnement:-40°C ~ 125°C (TC)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:134-WFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:134-FBGA (10x11.5)

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