MT29F1T08EEHBFJ4-T:B TR

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Numéro d'article MT29F1T08EEHBFJ4-T:B TR
LIXINC Part # MT29F1T08EEHBFJ4-T:B TR
Fabricant Micron Technology
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC FLASH 1TB PARALLEL 132VBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO MT29F1T08EEHBFJ4-T:B TR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jul 05 - Jul 09 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MT29F1T08EEHBFJ4-T:B TR Caractéristiques

Numéro d'article:MT29F1T08EEHBFJ4-T:B TR
Marque:Micron Technology
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Micron Technology
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Active
type de mémoire:Non-Volatile
formatage de la mémoire:FLASH
technologie:FLASH - NAND (TLC)
taille mémoire:1Tb (128G x 8)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:-
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:-
tension - alimentation:1.7V ~ 1.95V
température de fonctionnement:0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:132-VBGA
paquet de dispositif de fournisseur:132-VBGA (12x18)

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