TC58CYG2S0HRAIJ | Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.) TC58CYG2S0HRAIJ

TC58CYG2S0HRAIJ

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Numéro d'article	TC58CYG2S0HRAIJ
LIXINC Part #	TC58CYG2S0HRAIJ
Fabricant	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC FLASH 4GBIT SPI 133MHZ 8WSON
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	TC58CYG2S0HRAIJ Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

TC58CYG2S0HRAIJ Caractéristiques

Numéro d'article:	TC58CYG2S0HRAIJ
Marque:	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
série:	-
emballer:	Tray
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Non-Volatile
formatage de la mémoire:	FLASH
technologie:	FLASH - NAND (SLC)
taille mémoire:	4Gb (512M x 8)
interface mémoire:	SPI
fréquence d'horloge:	133 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	-
temps d'accès:	300 µs
tension - alimentation:	1.7V ~ 1.95V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 85°C
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	8-WDFN Exposed Pad
paquet de dispositif de fournisseur:	8-WSON (6x8)

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