SBSP52T1G

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Numéro d'article SBSP52T1G
LIXINC Part # SBSP52T1G
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - bipolaires (bjt) - simples
Description TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO SBSP52T1G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 21 - Oct 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SBSP52T1G Caractéristiques

Numéro d'article:SBSP52T1G
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - bipolaires (bjt) - simples
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
à transistors:NPN - Darlington
courant - collecteur (ic) (max):1 A
tension - claquage collecteur émetteur (max):80 V
vce saturation (max) @ ib, ic:1.3V @ 500µA, 500mA
courant - coupure collecteur (max):10µA
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:2000 @ 500mA, 10V
puissance - maximum:800 mW
fréquence - transition:-
température de fonctionnement:-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:TO-261-4, TO-261AA
paquet de dispositif de fournisseur:SOT-223 (TO-261)

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