AOI11S60

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Numéro d'article AOI11S60
LIXINC Part # AOI11S60
Fabricant Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 600V 11A TO251A
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO AOI11S60 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 06 - Oct 10 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

AOI11S60 Caractéristiques

Numéro d'article:AOI11S60
Marque:Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
série:aMOS™
emballer:Tube
état de la pièce:Not For New Designs
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):600 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:11A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:399mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4.1V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:11 nC @ 10 V
vg (max):±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:545 pF @ 100 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):208W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:TO-251A
paquet / caisse:TO-251-3 Stub Leads, IPak

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