FQU13N06LTU-WS

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Numéro d'article FQU13N06LTU-WS
LIXINC Part # FQU13N06LTU-WS
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO FQU13N06LTU-WS Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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FQU13N06LTU-WS Caractéristiques

Numéro d'article:FQU13N06LTU-WS
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:QFET®
emballer:Tube
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):60 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:11A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:115mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:6.4 nC @ 5 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:350 pF @ 25 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):2.5W (Ta), 28W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:I-PAK
paquet / caisse:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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