CSD16411Q3

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Numéro d'article CSD16411Q3
LIXINC Part # CSD16411Q3
Fabricant Texas Instruments
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 25V 14A/56A 8VSON
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO CSD16411Q3 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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CSD16411Q3 Caractéristiques

Numéro d'article:CSD16411Q3
Marque:Texas Instruments
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Texas Instruments
série:NexFET™
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):25 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:14A (Ta), 56A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:10mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.3V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:3.8 nC @ 4.5 V
vg (max):+16V, -12V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:570 pF @ 12.5 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):2.7W (Ta)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:8-VSON (3.3x3.3)
paquet / caisse:8-PowerVDFN

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