NP100P04PDG-E1-AY

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Numéro d'article NP100P04PDG-E1-AY
LIXINC Part # NP100P04PDG-E1-AY
Fabricant Renesas Electronics America
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET P-CH 40V 100A TO263
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO NP100P04PDG-E1-AY Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 09 - Oct 13 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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NP100P04PDG-E1-AY Caractéristiques

Numéro d'article:NP100P04PDG-E1-AY
Marque:Renesas Electronics America
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Renesas Electronics America
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Active
type fet:P-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):40 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:100A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:3.5mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:320 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:15100 pF @ 10 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):1.8W (Ta), 200W (Tc)
température de fonctionnement:175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:TO-263
paquet / caisse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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