TK39J60W5,S1VQ | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK39J60W5,S1VQ

TK39J60W5,S1VQ

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Numéro d'article	TK39J60W5,S1VQ
LIXINC Part #	TK39J60W5,S1VQ
Fabricant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	TK39J60W5,S1VQ Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

TK39J60W5,S1VQ Caractéristiques

Numéro d'article:	TK39J60W5,S1VQ
Marque:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:	DTMOSIV
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	600 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	38.8A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	65mOhm @ 19.4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.7V @ 1.9mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	135 nC @ 10 V
vg (max):	±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	4100 pF @ 300 V
fonction fet:	Super Junction
puissance dissipée (max):	270W (Tc)
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-3P(N)
paquet / caisse:	TO-3P-3, SC-65-3