TSM080N03EPQ56 RLG | TSC (Taiwan Semiconductor) TSM080N03EPQ56 RLG | TSM080N03EPQ56 RLG Inventory, Best Pricing

TSM080N03EPQ56 RLG

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Numéro d'article	TSM080N03EPQ56 RLG
LIXINC Part #	TSM080N03EPQ56 RLG
Fabricant	TSC (Taiwan Semiconductor)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 30V 55A 8PDFN
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	TSM080N03EPQ56 RLG Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 09 - Oct 13 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

TSM080N03EPQ56 RLG Caractéristiques

Numéro d'article:	TSM080N03EPQ56 RLG
Marque:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	TSC (Taiwan Semiconductor)
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	55A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	8mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	7.5 nC @ 4.5 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	750 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	54W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	8-PDFN (5x6)
paquet / caisse:	8-PowerTDFN