FDD10N20LZTM | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDD10N20LZTM

FDD10N20LZTM

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Numéro d'article	FDD10N20LZTM
LIXINC Part #	FDD10N20LZTM
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	FDD10N20LZTM Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

FDD10N20LZTM Caractéristiques

Numéro d'article:	FDD10N20LZTM
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	UniFET™
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	200 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	7.6A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	360mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	16 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	585 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	83W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	DPAK
paquet / caisse:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63