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Numéro d'article | BSZ105N04NSGATMA1 |
LIXINC Part # | BSZ105N04NSGATMA1 |
Fabricant | Rochester Electronics |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | OPTLMOS POWER-MOSFET |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | BSZ105N04NSGATMA1 Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | |
Expédition |
Numéro d'article: | BSZ105N04NSGATMA1 |
Marque: | Rochester Electronics |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | Rochester Electronics |
série: | OptiMOS™ |
emballer: | Bulk |
état de la pièce: | Active |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 40 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 11A (Ta), 40A (Tc) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 10.5mOhm @ 20A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 4V @ 14µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 17 nC @ 10 V |
vg (max): | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 1.3 pF @ 20 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 2.1W (Ta), 35W (Tc) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet de dispositif de fournisseur: | PG-TSDSON-8 |
paquet / caisse: | 8-PowerTDFN |
HUF75545S3ST | MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK | 1433 Plus sur la commande |
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RFP50N06 | MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3 | 2162 Plus sur la commande |
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IPP029N06NAKSA1 | MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO220-3 | 846 Plus sur la commande |
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SIHFR9014-GE3 | MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK | 841 Plus sur la commande |
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IPW65R037C6FKSA1 | MOSFET N-CH 650V 83.2A TO247-3 | 1288 Plus sur la commande |
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STF19NF20 | MOSFET N-CH 200V 15A TO220FP | 955 Plus sur la commande |
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IPL65R210CFDAUMA1 | MOSFET N-CH 650V 16.6A 4VSON | 891 Plus sur la commande |
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BSS123NH6327XTSA1 | MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 | 169438 Plus sur la commande |
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NVTFS4C06NWFTWG | MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN | 8747 Plus sur la commande |
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SI7810DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8 | 2250 Plus sur la commande |
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IRFI4227PBF | MOSFET N-CH 200V 26A TO220AB FP | 898 Plus sur la commande |
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PSMN8R5-100PSQ | MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB | 2900 Plus sur la commande |
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RM4435 | MOSFET P-CH 30V 9.1A/11A 8SOP | 810 Plus sur la commande |
En stock | 10895 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.19000 | $0.19 |
5000 | $0.19000 | $950 |
10000 | $0.17689 | $1768.9 |
25000 | $0.16772 | $4193 |
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