IRFZ44NSPBF

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Numéro d'article IRFZ44NSPBF
LIXINC Part # IRFZ44NSPBF
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description HEXFET POWER MOSFET
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IRFZ44NSPBF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
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IRFZ44NSPBF Caractéristiques

Numéro d'article:IRFZ44NSPBF
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Rochester Electronics
série:HEXFET®
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):55 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:49A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:17.5mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:63 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1.47 pF @ 25 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):3.8W (Ta), 94W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:D2PAK
paquet / caisse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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