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Numéro d'article | SQJ407EP-T1_GE3 |
LIXINC Part # | SQJ407EP-T1_GE3 |
Fabricant | Vishay / Siliconix |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8 |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | SQJ407EP-T1_GE3 Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Sep 28 - Oct 02 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | |
Expédition |
Numéro d'article: | SQJ407EP-T1_GE3 |
Marque: | Vishay / Siliconix |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | Vishay / Siliconix |
série: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
emballer: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
état de la pièce: | Active |
type fet: | P-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 30 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 60A (Tc) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 4.5V, 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 4.4mOhm @ 10A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 2.5V @ 250µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 260 nC @ 10 V |
vg (max): | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 10700 pF @ 25 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 68W (Tc) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet de dispositif de fournisseur: | PowerPAK® SO-8 |
paquet / caisse: | PowerPAK® SO-8 |
RD3H080SPTL1 | MOSFET P-CH 45V 8A TO252 | 4623 Plus sur la commande |
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R6024ENX | MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM | 1146 Plus sur la commande |
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FDP19N40 | MOSFET N-CH 400V 19A TO220-3 | 8842953 Plus sur la commande |
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TPH1110FNH,L1Q | MOSFET N-CH 250V 10A 8SOP | 5020 Plus sur la commande |
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IRF2807ZSTRLPBF | MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK | 983 Plus sur la commande |
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IRF9520PBF | MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB | 1503 Plus sur la commande |
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FDMC8588DC | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | 1368 Plus sur la commande |
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IPU60R600C6 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 813 Plus sur la commande |
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IPP70N10S312AKSA1 | MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3-1 | 11102 Plus sur la commande |
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NTMFS5H425NLT1G | MOSFET N-CH 40V 25A/118A 5DFN | 871 Plus sur la commande |
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SSM3J15CT(TPL3) | MOSFET P-CH 30V 100MA CST3 | 3883 Plus sur la commande |
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IPI100N06S3L-03 | MOSFET N-CH 55V 100A TO262-3 | 3261 Plus sur la commande |
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STB6NK60ZT4 | MOSFET N-CH 600V 6A D2PAK | 1720 Plus sur la commande |
En stock | 10849 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.29000 | $1.29 |
3000 | $0.60397 | $1811.91 |
6000 | $0.57561 | $3453.66 |
15000 | $0.55536 | $8330.4 |
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