BSP297L6327HTSA1

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Numéro d'article BSP297L6327HTSA1
LIXINC Part # BSP297L6327HTSA1
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO BSP297L6327HTSA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 29 - Oct 03 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
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BSP297L6327HTSA1 Caractéristiques

Numéro d'article:BSP297L6327HTSA1
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Rochester Electronics
série:SIPMOS®
emballer:Bulk
état de la pièce:Obsolete
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):200 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:660mA (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:1.8Ohm @ 660mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:1.8V @ 400µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:16.1 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:357 pF @ 25 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):1.8W (Ta)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:PG-SOT223-4
paquet / caisse:TO-261-4, TO-261AA

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