IPB80N06S209ATMA1 | Rochester Electronics IPB80N06S209ATMA1 | IPB80N06S209ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPB80N06S209ATMA1

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Numéro d'article	IPB80N06S209ATMA1
LIXINC Part #	IPB80N06S209ATMA1
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3-2
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IPB80N06S209ATMA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 21 - Sep 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IPB80N06S209ATMA1 Caractéristiques

Numéro d'article:	IPB80N06S209ATMA1
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	OptiMOS™
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	55 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	80A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	8.8mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 125µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	80 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	2.36 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	190W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	PG-TO263-3-2
paquet / caisse:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB