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Numéro d'article | SI2319DDS-T1-GE3 |
LIXINC Part # | SI2319DDS-T1-GE3 |
Fabricant | Vishay / Siliconix |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET P-CH 40V 2.7A/3.6A SOT23 |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | SI2319DDS-T1-GE3 Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Sep 21 - Sep 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | |
Expédition |
Numéro d'article: | SI2319DDS-T1-GE3 |
Marque: | Vishay / Siliconix |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | Vishay / Siliconix |
série: | TrenchFET® Gen III |
emballer: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
état de la pièce: | Active |
type fet: | P-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 40 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 2.7A (Ta), 3.6A (Tc) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 4.5V, 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 75mOhm @ 2.7A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 2.5V @ 250µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 19 nC @ 10 V |
vg (max): | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 650 pF @ 20 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 1W (Ta), 1.7W (Tc) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet de dispositif de fournisseur: | SOT-23-3 (TO-236) |
paquet / caisse: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
IXFK170N20P | MOSFET N-CH 200V 170A TO264AA | 953 Plus sur la commande |
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AOSX21319C | MOSFET P-CH 30V 2.6A SC70-6 | 828 Plus sur la commande |
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IPB100P03P3L-04 | P-CHANNEL POWER MOSFET | 907 Plus sur la commande |
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STT5N2VH5 | MOSFET N-CH 20V SOT23-6 | 1862 Plus sur la commande |
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NTMFS6B05NT3G | MOSFET N-CH 100V 16A/104A 5DFN | 851 Plus sur la commande |
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FQP32N12V2 | MOSFET N-CH 120V 32A TO220-3 | 2117 Plus sur la commande |
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IXFH52N50P2 | MOSFET N-CH 500V 52A TO247AD | 820 Plus sur la commande |
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SIHF22N65E-GE3 | MOSFET N-CH 650V 22A TO220 | 964 Plus sur la commande |
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IRFU1N60APBF | MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251AA | 3549 Plus sur la commande |
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IRFIBE30GPBF | MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3 | 1701 Plus sur la commande |
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FDB603AL | N-CHANNEL POWER MOSFET | 40092 Plus sur la commande |
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IXFT320N10T2 | MOSFET N-CH 100V 320A TO268 | 1349 Plus sur la commande |
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BB502CBS-TL-H | RF N-CHANNEL MOSFET | 60951 Plus sur la commande |
En stock | 17132 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.52000 | $0.52 |
3000 | $0.20274 | $608.22 |
6000 | $0.19038 | $1142.28 |
15000 | $0.17803 | $2670.45 |
30000 | $0.16937 | $5081.1 |
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