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Numéro d'article | IPP60R080P7XKSA1 |
LIXINC Part # | IPP60R080P7XKSA1 |
Fabricant | IR (Infineon Technologies) |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 650V 37A TO220-3 |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | IPP60R080P7XKSA1 Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Oct 06 - Oct 10 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | |
Expédition |
Numéro d'article: | IPP60R080P7XKSA1 |
Marque: | IR (Infineon Technologies) |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | IR (Infineon Technologies) |
série: | CoolMOS™ P7 |
emballer: | Tube |
état de la pièce: | Active |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 650 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 37A (Tc) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 80mOhm @ 11.8A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 4V @ 590µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 51 nC @ 10 V |
vg (max): | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 2180 pF @ 400 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 129W (Tc) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
paquet de dispositif de fournisseur: | PG-TO220-3 |
paquet / caisse: | TO-220-3 |
PMPB50ENEX | MOSFET DFN2020MD-6 | 3907 Plus sur la commande |
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PMPB100ENEA115 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 30944 Plus sur la commande |
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SI7434ADP-T1-RE3 | MOSFET N-CH 250V 3.7A/12.3A PPAK | 3692 Plus sur la commande |
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IRF9520STRRPBF | MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK | 814 Plus sur la commande |
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PSMN057-200B,118 | MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK | 4368 Plus sur la commande |
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DMN3016LFDE-7 | MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN | 3948 Plus sur la commande |
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IPP80N04S304AKSA1 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 27762 Plus sur la commande |
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C3M0280090J | SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7 | 888 Plus sur la commande |
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IRF7450PBF | SMPS HEXFET POWER MOSFET | 946 Plus sur la commande |
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BSZ22DN20NS3G | BSZ22DN20 - 12V-300V N-CHANNEL P | 1953 Plus sur la commande |
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BSZ110N08NS5ATMA1 | MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON | 60968 Plus sur la commande |
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APT10021JLL | MOSFET N-CH 1000V 37A ISOTOP | 868 Plus sur la commande |
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BUK6Y24-40PX | MOSFET P-CH 40V 39A LFPAK56 | 1887 Plus sur la commande |
En stock | 10920 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $4.96000 | $4.96 |
10 | $4.45457 | $44.5457 |
100 | $3.70444 | $370.444 |
500 | $3.05448 | $1527.24 |
1000 | $2.62116 | $2621.16 |
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