IRLR2908PBF

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Numéro d'article IRLR2908PBF
LIXINC Part # IRLR2908PBF
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description HEXFET POWER MOSFET
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IRLR2908PBF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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IRLR2908PBF Caractéristiques

Numéro d'article:IRLR2908PBF
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Rochester Electronics
série:HEXFET®
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):80 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:30A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:28mOhm @ 23A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:33 nC @ 4.5 V
vg (max):±16V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1.89 pF @ 25 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):120W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:D-Pak
paquet / caisse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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