NVMFS5C404NT1G

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Numéro d'article NVMFS5C404NT1G
LIXINC Part # NVMFS5C404NT1G
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO NVMFS5C404NT1G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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NVMFS5C404NT1G Caractéristiques

Numéro d'article:NVMFS5C404NT1G
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Rochester Electronics
série:-
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):40 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:378A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:0.7mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:128 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:8.4 pF @ 25 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):3.9W (Ta), 200W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
paquet / caisse:8-PowerTDFN

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