SI4116DY-T1-GE3

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Numéro d'article SI4116DY-T1-GE3
LIXINC Part # SI4116DY-T1-GE3
Fabricant Vishay / Siliconix
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO SI4116DY-T1-GE3 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 09 - Oct 13 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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SI4116DY-T1-GE3 Caractéristiques

Numéro d'article:SI4116DY-T1-GE3
Marque:Vishay / Siliconix
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Vishay / Siliconix
série:TrenchFET®
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):25 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:18A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):2.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:8.6mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ id:1.4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:56 nC @ 10 V
vg (max):±12V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1925 pF @ 15 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):2.5W (Ta), 5W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:8-SO
paquet / caisse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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