RQ3E100BNTB

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Numéro d'article RQ3E100BNTB
LIXINC Part # RQ3E100BNTB
Fabricant ROHM Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO RQ3E100BNTB Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 06 - Oct 10 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

RQ3E100BNTB Caractéristiques

Numéro d'article:RQ3E100BNTB
Marque:ROHM Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:ROHM Semiconductor
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:10A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:10.4mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:22 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1100 pF @ 15 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):2W (Ta)
température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:8-HSMT (3.2x3)
paquet / caisse:8-PowerVDFN

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