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Numéro d'article | SQ2310ES-T1_GE3 |
LIXINC Part # | SQ2310ES-T1_GE3 |
Fabricant | Vishay / Siliconix |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 20V 6A TO236 |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | SQ2310ES-T1_GE3 Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Sep 26 - Sep 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | |
Expédition |
Numéro d'article: | SQ2310ES-T1_GE3 |
Marque: | Vishay / Siliconix |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | Vishay / Siliconix |
série: | TrenchFET® |
emballer: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
état de la pièce: | Active |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 20 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 6A (Tc) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 1.5V, 4.5V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 30mOhm @ 5A, 4.5V |
vgs(th) (max) @ id: | 1V @ 250µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 8.5 nC @ 4.5 V |
vg (max): | ±8V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 485 pF @ 10 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 2W (Tc) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet de dispositif de fournisseur: | TO-236 |
paquet / caisse: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
SI7686DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8 | 3830 Plus sur la commande |
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IPI04N03LA | MOSFET N-CH 25V 80A TO262-3 | 1648 Plus sur la commande |
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IPB35N10S3L26ATMA1 | MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK | 964 Plus sur la commande |
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TK200F04N1L,LXGQ | MOSFET N-CH 40V 200A TO220SM | 2214 Plus sur la commande |
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CSD16404Q5A | MOSFET N-CH 25V 21A/81A 8VSON | 3332 Plus sur la commande |
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PSMN5R0-80BS,118 | MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK | 934 Plus sur la commande |
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SFU9224TU | P-CHANNEL POWER MOSFET | 274517 Plus sur la commande |
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IPZ40N04S5L2R8ATMA1 | MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON | 7926 Plus sur la commande |
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J176_D74Z | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI | 883 Plus sur la commande |
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IPP65R280C6XKSA1 | MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-3 | 20721 Plus sur la commande |
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NVTFS6H860NWFTAG | MOSFET N-CH 80V 8A/30A 8WDFN | 5306 Plus sur la commande |
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IRFH5007TR2PBF | MOSFET N-CH 75V 17A/100A 8PQFN | 964 Plus sur la commande |
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2SK1419 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1623 Plus sur la commande |
En stock | 72316 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.78000 | $0.78 |
3000 | $0.33317 | $999.51 |
6000 | $0.31155 | $1869.3 |
15000 | $0.30074 | $4511.1 |
30000 | $0.29484 | $8845.2 |
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