SIHG24N65E-E3

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Numéro d'article SIHG24N65E-E3
LIXINC Part # SIHG24N65E-E3
Fabricant Vishay / Siliconix
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO SIHG24N65E-E3 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 26 - Sep 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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SIHG24N65E-E3 Caractéristiques

Numéro d'article:SIHG24N65E-E3
Marque:Vishay / Siliconix
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Vishay / Siliconix
série:-
emballer:Tube
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):650 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:24A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:145mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:122 nC @ 10 V
vg (max):±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:2740 pF @ 100 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):250W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:TO-247AC
paquet / caisse:TO-247-3

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