NTB25P06T4G

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Numéro d'article NTB25P06T4G
LIXINC Part # NTB25P06T4G
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO NTB25P06T4G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 27 - Oct 01 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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NTB25P06T4G Caractéristiques

Numéro d'article:NTB25P06T4G
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:P-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):60 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:27.5A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:82mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:50 nC @ 10 V
vg (max):±15V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1680 pF @ 25 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):120W (Tj)
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:D2PAK
paquet / caisse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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