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Numéro d'article | RQ3E150BNTB |
LIXINC Part # | RQ3E150BNTB |
Fabricant | ROHM Semiconductor |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | RQ3E150BNTB Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Jul 08 - Jul 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | ![]() |
Expédition | ![]() |
Numéro d'article: | RQ3E150BNTB |
Marque: | ROHM Semiconductor |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | ROHM Semiconductor |
série: | - |
emballer: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
état de la pièce: | Active |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 30 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 15A (Ta) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 4.5V, 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 5.3mOhm @ 15A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 2.5V @ 1mA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 45 nC @ 10 V |
vg (max): | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 3000 pF @ 15 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 2W (Ta) |
température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet de dispositif de fournisseur: | 8-HSMT (3.2x3) |
paquet / caisse: | 8-PowerVDFN |
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En stock | 10973 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.48000 | $0.48 |
3000 | $0.16174 | $485.22 |
6000 | $0.15130 | $907.8 |
15000 | $0.14609 | $2191.35 |
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