PHT6NQ10T,135 | Nexperia PHT6NQ10T,135 | PHT6NQ10T,135 Inventory, Best Pricing

PHT6NQ10T,135

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	PHT6NQ10T,135
LIXINC Part #	PHT6NQ10T,135
Fabricant	Nexperia
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	PHT6NQ10T,135 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 26 - Sep 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

PHT6NQ10T,135 Caractéristiques

Numéro d'article:	PHT6NQ10T,135
Marque:	Nexperia
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Nexperia
série:	TrenchMOS™
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	100 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	3A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	90mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	21 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	633 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
température de fonctionnement:	-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	SOT-223
paquet / caisse:	TO-261-4, TO-261AA