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Numéro d'article | FQP9N08L |
LIXINC Part # | FQP9N08L |
Fabricant | Rochester Electronics |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 80V 9.3A TO220-3 |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | FQP9N08L Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Sep 26 - Sep 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | |
Expédition |
Numéro d'article: | FQP9N08L |
Marque: | Rochester Electronics |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | Rochester Electronics |
série: | QFET® |
emballer: | Tube |
état de la pièce: | Obsolete |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 80 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 9.3A (Tc) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 5V, 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 210mOhm @ 4.65A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 5V @ 250µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 6.1 nC @ 5 V |
vg (max): | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 280 pF @ 25 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 40W (Tc) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
paquet de dispositif de fournisseur: | TO-220-3 |
paquet / caisse: | TO-220-3 |
RTR025P02TL | MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3 | 2931 Plus sur la commande |
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IRFS3806TRLPBF | MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK | 4093 Plus sur la commande |
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C3M0350120D | SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3 | 983 Plus sur la commande |
En stock | 15985 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.27000 | $0.27 |
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