FDD850N10LD | Rochester Electronics FDD850N10LD | FDD850N10LD Inventory, Best Pricing

FDD850N10LD

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Numéro d'article	FDD850N10LD
LIXINC Part #	FDD850N10LD
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 100V 15.3A TO252-4
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	FDD850N10LD Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 20 - Oct 24 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

FDD850N10LD Caractéristiques

Numéro d'article:	FDD850N10LD
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	PowerTrench®
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	100 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	15.3A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	-
rds sur (max) @ id, vgs:	75mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	28.9 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	1465 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	42W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-252-4
paquet / caisse:	TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD