NDD60N360U1-35G

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Numéro d'article NDD60N360U1-35G
LIXINC Part # NDD60N360U1-35G
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 600V 11A IPAK
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO NDD60N360U1-35G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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NDD60N360U1-35G Caractéristiques

Numéro d'article:NDD60N360U1-35G
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Rochester Electronics
série:-
emballer:Tube
état de la pièce:Obsolete
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):600 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:11A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:360mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:26 nC @ 10 V
vg (max):±25V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:790 pF @ 50 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):114W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:I-PAK
paquet / caisse:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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