FQB19N10LTM

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Numéro d'article FQB19N10LTM
LIXINC Part # FQB19N10LTM
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO FQB19N10LTM Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 10 - Oct 14 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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FQB19N10LTM Caractéristiques

Numéro d'article:FQB19N10LTM
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Rochester Electronics
série:QFET®
emballer:Bulk
état de la pièce:Obsolete
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):100 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:19A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:100mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:18 nC @ 5 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:870 pF @ 25 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):3.75W (Ta), 75W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:D²PAK (TO-263AB)
paquet / caisse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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