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NP50P04SDG-E1-AY

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Numéro d'article	NP50P04SDG-E1-AY
LIXINC Part #	NP50P04SDG-E1-AY
Fabricant	Renesas Electronics America
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	NP50P04SDG-E1-AY Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 10 - Oct 14 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
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NP50P04SDG-E1-AY Caractéristiques

Numéro d'article:	NP50P04SDG-E1-AY
Marque:	Renesas Electronics America
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Renesas Electronics America
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	P-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	40 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	50A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	9.6mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	100 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	5000 pF @ 10 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	1.2W (Ta), 84W (Tc)
température de fonctionnement:	175°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-252 (MP-3ZK)
paquet / caisse:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63