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Numéro d'article | SUG80050E-GE3 |
LIXINC Part # | SUG80050E-GE3 |
Fabricant | Vishay / Siliconix |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 150V 100A TO247AC |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | SUG80050E-GE3 Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Jul 07 - Jul 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | ![]() |
Expédition | ![]() |
Numéro d'article: | SUG80050E-GE3 |
Marque: | Vishay / Siliconix |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | Vishay / Siliconix |
série: | ThunderFET® |
emballer: | Tube |
état de la pièce: | Active |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 150 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 100A (Tc) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 7.5V, 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 5.4mOhm @ 20A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 4V @ 250µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 165 nC @ 10 V |
vg (max): | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 6250 pF @ 75 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 500W (Tc) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
paquet de dispositif de fournisseur: | TO-247AC |
paquet / caisse: | TO-247-3 |
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SSM6J412TU,LF | MOSFET P-CH 20V 4A UF6 | 8344 Plus sur la commande |
En stock | 11260 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $5.39000 | $5.39 |
10 | $4.80939 | $48.0939 |
100 | $3.94378 | $394.378 |
500 | $3.19351 | $1596.755 |
1000 | $2.69333 | $2693.33 |
2500 | $2.55866 | $6396.65 |
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