SGP23N60UFDTU | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor SGP23N60UFDTU

SGP23N60UFDTU

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Numéro d'article	SGP23N60UFDTU
LIXINC Part #	SGP23N60UFDTU
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - igbts - simples
Description	IGBT 600V 23A 100W TO220
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	SGP23N60UFDTU Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

SGP23N60UFDTU Caractéristiques

Numéro d'article:	SGP23N60UFDTU
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - igbts - simples
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Not For New Designs
type d'igbt:	-
tension - claquage collecteur émetteur (max):	600 V
courant - collecteur (ic) (max):	23 A
courant - collecteur pulsé (icm):	92 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.6V @ 15V, 12A
puissance - maximum:	100 W
énergie de commutation:	115µJ (on), 135µJ (off)
type d'entrée:	Standard
frais de porte:	49 nC
td (marche/arrêt) @ 25°c:	17ns/60ns
condition de test:	300V, 12A, 23Ohm, 15V
temps de récupération inverse (trr):	60 ns
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	TO-220-3
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-220-3