FGP15N60UNDF | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FGP15N60UNDF

FGP15N60UNDF

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Numéro d'article	FGP15N60UNDF
LIXINC Part #	FGP15N60UNDF
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - igbts - simples
Description	IGBT 600V 30A 178W TO220-3
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	FGP15N60UNDF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 09 - Oct 13 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

FGP15N60UNDF Caractéristiques

Numéro d'article:	FGP15N60UNDF
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - igbts - simples
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
type d'igbt:	NPT
tension - claquage collecteur émetteur (max):	600 V
courant - collecteur (ic) (max):	30 A
courant - collecteur pulsé (icm):	45 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.7V @ 15V, 15A
puissance - maximum:	178 W
énergie de commutation:	370µJ (on), 67µJ (off)
type d'entrée:	Standard
frais de porte:	43 nC
td (marche/arrêt) @ 25°c:	9.3ns/54.8ns
condition de test:	400V, 15A, 10Ohm, 15V
temps de récupération inverse (trr):	82.4 ns
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	TO-220-3
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-220-3