HGTG20N60B3D

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Numéro d'article HGTG20N60B3D
LIXINC Part # HGTG20N60B3D
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - igbts - simples
Description IGBT 600V 40A 165W TO247
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO HGTG20N60B3D Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 10 - Oct 14 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

HGTG20N60B3D Caractéristiques

Numéro d'article:HGTG20N60B3D
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - igbts - simples
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:-
emballer:Tube
état de la pièce:Not For New Designs
type d'igbt:-
tension - claquage collecteur émetteur (max):600 V
courant - collecteur (ic) (max):40 A
courant - collecteur pulsé (icm):160 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2V @ 15V, 20A
puissance - maximum:165 W
énergie de commutation:475µJ (on), 1.05mJ (off)
type d'entrée:Standard
frais de porte:80 nC
td (marche/arrêt) @ 25°c:-
condition de test:-
temps de récupération inverse (trr):55 ns
température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet / caisse:TO-247-3
paquet de dispositif de fournisseur:TO-247-3

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